晶能光電推進硅襯底LED產業化
在日前舉行的廣州國際照明展上，晶能光電公司展出的6英寸硅襯底LED芯片，以及聯合晶和照明推出的采用硅襯底大功率LED芯片的硅襯底模組，引起了國內外眾多行業人士的廣泛關注。 據了解，晶能光電創新性地運用“硅”代替傳統的“藍寶石”或“碳化硅”作為襯底制造氮化鎵基LED器件，在全球率先將具有自主知識產權的硅襯底LED技術產業化，形成了藍寶石、碳化硅、硅襯底半導體照明技術方案三足鼎立的新格局。 ......閱讀全文
晶能光電推進硅襯底LED產業化
在日前舉行的廣州國際照明展上，晶能光電公司展出的6英寸硅襯底LED芯片，以及聯合晶和照明推出的采用硅襯底大功率LED芯片的硅襯底模組，引起了國內外眾多行業人士的廣泛關注。 據了解，晶能光電創新性地運用“硅”代替傳統的“藍寶石”或“碳化硅”作為襯底制造氮化鎵基LED器件，在全球
寬帶隙半導體材料的特性
氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導體材料，因為它的禁帶寬度都在3個電子伏以上，在室溫下不可能將價帶電子激發到導帶。器件的工作溫度可以很高，比如說碳化硅可以工作到600攝氏度；金剛石如果做成半導體，溫度可以更高，器件可用在石油鉆探頭上收集相關需要的信息。它們還在航空、航天等惡劣環境中有重要應用。廣
寬帶隙半導體材料的特征
氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導體材料，因為它的禁帶寬度都在3個電子伏以上，在室溫下不可能將價帶電子激發到導帶。器件的工作溫度可以很高，比如說碳化硅可以工作到600攝氏度；金剛石如果做成半導體，溫度可以更高，器件可用在石油鉆探頭上收集相關需要的信息。它們還在航空、航天等惡劣環境中有重要應用。廣
SiCLED研究中取得進展－為我國SiC產業注入新活力
中國科學院上海硅酸鹽研究所與半導體研究所通過聯合攻關，在SiC-LED技術路線方面中涉及的核心技術，如SiC單晶襯底、外延、芯片和燈具封裝等方面取得了突破性進展，研制出了多種結構的SiC-LED，并封裝成了燈具，完全打通了SiC-LED技術路線，為SiC-LED技術在半導體照明產業領域的推廣打下
LED襯底材料有哪些種類
目前市面上一般有三種材料可作為襯底：·藍寶石（Al2O3）·硅(Si)·碳化硅（SiC）除了以上三種常用的襯底材料之外，還有GaAS、AlN、ZnO等材料也可作為襯底，通常根據設計的需要選擇使用。
科學家開發出石墨烯/藍寶石外延襯底－促進AlN薄膜生長
深紫外LED可以廣泛應用于殺毒、消菌、印刷和通信等領域，國際水俁公約的提出，促使深紫外LED的全面應用更是迫在眉睫，但是商業化深紫外LED不到10%的外量子效率嚴重限制了深紫外LED的應用。AlN材料質量是深紫外LED的核心因素之一，AlN薄膜主要是通過金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）的方法異
備受看好的氧化鎵材料是什么來頭？－（一）
日前，據日本媒體報道，日本經濟產業省（METI）計劃為致力于開發新一代低能耗半導體材料“氧化鎵”的私營企業和大學提供財政支持。報道指出，METI將為明年留出大約2030萬美元的資金去資助相關企業，預計未來5年的資助規模將超過8560萬美元。 ? 眾所周知，經歷了日美“廣場協定”的日本
中科院上海硅酸鹽所研發出4英寸碳化硅單晶
記者今天從中國科學院上海硅酸鹽研究所獲悉，該所科技人員立足自主研發，在掌握直徑2英寸、3英寸碳化硅單晶生長技術之后，2月4日，成功生長出直徑4英寸4H晶型碳化硅單晶，這標志著我國碳化硅單晶生長技術達到了國際一流水平。 據介紹，碳化硅單晶是一種寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大，飽和漂
Mg預處理藍寶石襯底法制備的Zn極性ZnO外延薄膜的結構
通過分子束外延法在經Mg預處理的藍寶石襯底上制備了ZnO單晶薄膜,利用高分辨透射電鏡、電子全息和X射線能譜對該薄膜的結構進行了細致的研究。結果表明,在藍寶石襯底上預沉積一層很薄的Mg層,可以生長均勻Zn極性的ZnO外延薄膜。ZnO/MgO/藍寶石的界面非常清晰銳利,同時在界面處可以觀察到大約3個原子
氮化鎵基LED用藍寶石圖形襯底－關鍵技術研究通過驗收
3月14日，由中國科學院半導體研究所承擔的北京市科委“氮化鎵基LED用藍寶石圖形襯底關鍵技術研究”項目順利通過北京市科委組織專家組驗收。專家們一致認為：項目的實施有利于提高半導體照明行業自主創新能力和產業競爭力，對推動北京市乃至全國半導體照明行業上游關鍵材料的發展具有重要的意義。 在北京市
6英寸碳化硅單晶襯底研制成功
近日，中國科學院物理研究所北京凝聚態物理國家實驗室（籌）先進材料與結構分析實驗室團隊人員與北京天科合達藍光半導體有限公司合作，成功研制出了6英寸碳化硅（SiC）單晶襯底。 據悉，碳化硅屬于第三代半導體材料，是制造高亮度LED、電力電子功率器件以及射頻微波器件的理想襯底。 上圖 科研人員在
物理所成功研制6英寸碳化硅單晶襯底
碳化硅（SiC）單晶是一種寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大、臨界擊穿場強大、熱導率高、飽和漂移速度高等諸多特點，被廣泛應用于制作高溫、高頻及大功率電子器件。此外，由于SiC和氮化鎵（GaN）的晶格失配小，SiC單晶是GaN基LED、肖特基二極管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想襯底材
碳化硅外延層厚度及其均勻性的無損檢測——紅外顯微系統
第三代半導體碳化硅材料快速發展 近年來，5G通信、新能源汽車、光伏行業推動了第三代半導體材料碳化硅（SiC）技術的快速發展。相較于成熟的硅（Si）材料，SiC具有禁帶寬、擊穿電場高、電子飽和遷移率高、熱導率高等優良的物理化學特性，是制備高溫、高壓、高頻、大功率器件的理想材料，如電力轉換器、光伏
LED藍光芯片用什么襯底
藍寶石用的多，國內也有直接用GAN的，但是成本高；美國CREE用碳化硅作襯底，他硬度大，但是成本也比較高；也有在研究用SI的，但是效果不好，吸光等問題比較多
采用光學輪廓儀有哪些優勢
光學輪廓儀一款用于對各種精密器件表面進行亞納米級測量的檢測儀器。它是以白光干涉技術為原理、結合精密Z向掃描模塊、3D 建模算法等對器件表面進行非接觸式掃描并建立表面3D圖像，通過系統軟件對器件表面3D圖像進行數據處理與分析，并獲取反映器件表面質量的2D、3D參數，從而實現器件表面形貌的3D測量的
上海硅酸鹽所在工博會上展示新能源產品
11月9日，中科院上海硅酸鹽研究所參加并在2010年中國國際工業博覽會上重點展示了具有完全自主知識產權的染料敏化太陽能電池(DSSC)、銅銦鎵硒薄膜太陽能電池(CIGS)、大容量鈉硫儲能電池、智能溫控節能鍍膜、透明陶瓷金鹵燈以及高性能環保自清潔涂料等項目。由于展示項目緊密
高性能氮化鎵晶體管研制成功
據美國物理學家組織網9月22日（北京時間）報道，法國和瑞士科學家首次使用氮化鎵在（100）-硅（晶體取向為100）基座上，成功制造出了性能優異的高電子遷徙率晶體管（HEMTs）。此前，氮化鎵只能用于（111）-硅上，而目前廣泛使用的由硅制成的互補性金屬氧化半導體（CMOS）芯片一般
FSM413紅外激光測厚儀的相關知識
FSM413紅外激光測厚儀產品簡介：1、利紅外干涉測量技術，非接觸式測量。2、適用于所有可讓紅外線通過的材料硅、藍寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石?英、聚合物…FSM413紅外激光測厚儀規格：1、測量方式：紅外干涉(非接觸式)。2、樣本尺寸：50、75、100、200、300 mm， 也可以訂
第三代半導體外延材料的產業化應用之路
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517721.shtm手機電腦快充器件、新能源車載電源、5G基站、MicroLED、深紫外LED……這些設備都離不開氮化鎵外延材料，這也讓該材料成為資本市場關注的“寵兒”。根據相關市場調研機構的預測顯示，到
表面輪廓儀的典型運用及保養維護
? 表面輪廓儀能對各種產品、部件和材料表面的平面度、粗糙度、波紋度、面形輪廓、表面缺陷、磨損情況、腐蝕情況、孔隙間隙、臺階高度、彎曲變形情況、加工情況等表面形貌特征進行測量和分析，一句話概括就是測量超光滑表面（納米級別）微觀形貌。 表面輪廓儀的幾大典型運用： 1.3C領域：測量藍寶石屏、濾光片
我國自主研制的4英寸高純半絕緣碳化硅襯底產品面世
我新一代雷達核心部件材料實現國產化 科技日報濟南7月6日電 （通訊員辛鵬波 記者王延斌）近日，我國自主研制的4英寸高純半絕緣碳化硅（SiC）襯底產品面世。中國電子材料行業協會組織的專家認為，該成果國內領先，已達到國際先進水平。 碳化硅基微波功率器件具有高頻、大功率和耐高溫的特性，是新一代雷達
第三代半導體龍頭共話“換道超車”
以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，被稱為“未來電子產業基石”。近日，上交所科創板新質生產力行業沙龍第二期聚焦第三代半導體產業領域，匯聚華潤微、芯聯集成、天岳先進等3家半導體頭部企業，及多家證券公司、基金管理公司、QFII等機構，深入交流第三代半導體的性能優勢、應用場景、產業化進程、發展趨
碳化硅外延層厚度及其均勻性的無損檢測——紅外顯微系統
第三代半導體碳化硅材料快速發展近年來，5G通信、新能源汽車、光伏行業推動了第三代半導體材料碳化硅（SiC）技術的快速發展。相較于成熟的硅（Si）材料，SiC具有禁帶寬、擊穿電場高、電子飽和遷移率高、熱導率高等優良的物理化學特性，是制備高溫、高壓、高頻、大功率器件的理想材料，如電力轉換器、光伏逆變器、
第三代半導體有望寫入下月十四五規劃－成國產替代希望
近日，有媒體報道稱，權威消息人士透露，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入正在制定中的“十四五”規劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主。國信證券研報中指出半導體第三代是指半導體材料的變化，從第一代、
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（一）
全球有40%的能量作為電能被消耗了, 而電能轉換最大耗散是半導體功率器件。我國作為世界能源消費大國, 如何在功率電子方面減小能源消耗成了一個關鍵的技術難題。伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。 早在1893年諾貝爾獎獲得者法國化
硅襯底InGaN基半導體激光器研究方面取得進展
硅是半導體行業最常見的材料，基于硅材料的電子芯片被廣泛應用于日常生活的各種設備中，從智能手機、電腦到汽車、飛機、衛星等。隨著技術的發展，研究者發現通過傳統的電氣互聯來進行芯片與系統之間的通信已經難以滿足電子器件之間更快的通信速度以及更復雜系統的要求。為解決這一問題，“光”被認為是一種非常有潛力的
硅襯底上生長高結晶性黑磷薄膜合作研究獲進展
近期，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員張凱與湖南大學教授潘安練、深圳大學教授張晗合作，在《自然-通訊》（Nature Communications）上發表題為Epitaxial nucleation and lateral growth of high-crystalline bla
氮化鎵半導體材料的反應方程式
GaN材料的生長是在高溫下，通過TMGa分解出的Ga與NH3的化學反應實現的，其可逆的反應方程式為：Ga+NH3=GaN+3/2H2生長GaN需要一定的生長溫度，且需要一定的NH3分壓。人們通常采用的方法有常規MOCVD(包括APMOCVD、LPMOCVD)、等離子體增強MOCVD（PE—MOCVD
十年磨劍，實現2英寸單晶金剛石電子器件量產
作為第三代半導體材料的代表，金剛石半導體又被稱為終極半導體。“金剛石半導體具有超寬禁帶（5.45eV），高擊穿場強（10MV/cm）、高載流子飽和漂移速度、高熱導率（22 W/cmK）等材料特性，以及優異的器件品質因子。” 西安交通大學王宏興教授介紹，“為此，采用金剛石襯底可研制高溫、高頻、大功率、
晶瑞光電發布高光效大功率LED
日前，由留美博士創業團隊創立的晶瑞光電正式推出兩款高光效大功率LED共晶陶瓷封裝產品X3和X4。這兩款產品分別采用了硅襯底垂直結構大功率LED 芯片和FLIP CHIP芯片，在驅動電流350mA的情況下，平均光效可分別達到148lm/W和150lm/W;在驅動電流700mA的情況下，平均光效