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  • 采用界面調控成功制備低位錯半絕緣GaN材料

    1月19日,記者從廣東省科學院半導體研究所獲悉,該所研究團隊采用界面工程調控實現藍寶石襯底上低位錯半絕緣氮化鎵(GaN)材料制備。相關研究發表于《合金與化合物雜志》(Journal of Alloys and Compounds)。廣東省科學院半導體研究所高級工程師張康為該論文第一作者,陳志濤博士和何晨光博士為共同通訊作者。GaN材料作為第三代半導體材料的典型代表,因其具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強以及耐化學腐蝕等優點,在下一代電子和光電器件領域具有極強的競爭優勢和應用前景。目前,在高頻高功率電子器件和高靈敏度光電探測器方面已有廣泛應用,然而高性能器件功能的實現需要GaN材料兼具低位錯密度和半絕緣特征,但在GaN的生長過程中,藍寶石襯底中大量氧元素向上擴散現象的存在,導致傳統GaN/藍寶石模板呈現典型的n型導電特性。為解決這一問題,傳統技術路線為采用金屬(Cr、Mg、Fe)或C元素摻雜對n型載......閱讀全文

    采用界面調控成功制備低位錯半絕緣GaN材料

    1月19日,記者從廣東省科學院半導體研究所獲悉,該所研究團隊采用界面工程調控實現藍寶石襯底上低位錯半絕緣氮化鎵(GaN)材料制備。相關研究發表于《合金與化合物雜志》(Journal of Alloys and Compounds)。廣東省科學院半導體研究所高級工程師張康為該論文第一作者,陳志濤博士和

    采用界面調控成功制備低位錯半絕緣GaN材料

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