應用于射頻的集成無源器件硅基轉接板技術
摘要 展示了一種應用于射頻微系統領域的可以集成射頻無源器件的硅基轉接板結構。該結構將電感、電容、電阻、傳輸線和 TSV 等集成在適用于微波應用的高阻硅襯底上，可實現芯片級的CMOS 、 MMIC 及 MEMS 多種不同材料器件集成。采用這種方法制備的傳輸線損耗在 40 GHz 為0.34 dB/mm ，電容密度達到 1.05 fF/μm 2 ， 2.5 圈 8 nH 電感最大 Q 值在 1.5 GHz 達到 16 。這項制造技術與 CMOS 制造工藝兼容，可為超高集成度的三維集成型化射頻微系統提供有力支撐。 引言 過去幾十年中，電子器件一直遵循摩爾定律通過減小加工線寬提高器件性能。近年來隨著加工精度下降，到達 9 nm 甚至更小以后摩爾定律開始難以為繼。半導體行業發展的重點逐漸轉移到小型化、多功能的微系統上，即所謂的超越摩爾路線。同時，隨著 ......閱讀全文
光無源器件的轉換器相關介紹
把光纖接頭連接在一起，從而使光纖接通的器件稱為轉換器，轉換器俗稱法蘭盤。在CATV系統中用得最多的是FC型連接器；SC型連接器因使用方便、價格低廉，可以密集安裝等優點，應用前景也不錯，除此地外，ST型連接器也有一定數量的應用。 a．FC型連接器。 FC型連接器是一種用螺紋連接，外部元件采用金屬
光無源器件固波損耗相關介紹
回波損耗又稱反射損耗，是指在光纖連接處，后向反射光相對于輸入光的比率的分貝數，其表達式為RL=-10loy Pr/PO dB，其中PO—輸入光功率，Pr—后向反射光功率。 反射損耗愈大愈好，以減少反射光對光源和系統的影響。改進回波損耗的途徑只有一個，即將插頭端面加工成球面或斜球面。球面接觸，使纖
光無源器件變換器相關介紹
將某一種型號的插頭變換成另一型號插頭的器件叫做變換器，該器件由兩部分組成，其中一半為某一型號的轉換器，另一半為其它型號的插頭。使用時將某一型號的插頭插入同型號的轉換器中，就變成其它型號的插頭了。在實際工程應用中，往往會遇到這種情況，即手頭上有某種型號的插頭，而儀表或系統中是另一型號的轉換器，彼此
光無源器件插入損耗相關介紹
插入損耗定義為光纖中的光信號通過活動連接器之后，其輸出光功率相對輸入光功率的比率的分貝比。其表達式為IL=-10log(PI/PO) （dB），其中PO—輸入端的光功率，PI—輸出端的光功率。插入損耗越小越好。從理論上講影響插入損耗的主要因素有以下幾種：纖芯錯位損耗、光纖傾斜損耗、光纖端面間隙損
蘭州化物所柔性紙基集成器件研究取得進展
柔性傳感器可穿戴或植入人體，并可檢測周圍環境信息，在醫療健康領域受到廣泛關注。然而，作為用電器件的傳感器自身并不能獨立工作，需要電源為其供電。平面型微型超級電容器（MSC）作為新型的微型電化學儲能器件易與傳感器或其它電子器件進行有效集成。一般的方法是將傳感器與電源通過外接導線連接，但在柔性可穿戴
集成光學元器件的工藝技術介紹
集成光學元器件的工藝技術主要涉及成膜與光路微加工。通常采用外延、質子轟擊、離子注入、固態擴散、離子交換、高頻濺射、真空蒸發、等離子聚合等作為成膜工藝；采用光刻、電子束曝光、全息曝光、同步輻射、光鎖定、化學刻蝕、濺射刻蝕(離子銑)、反應離子刻蝕作為光路微加工技術。另外，高速脈沖技術，則是測試及在應用中
光無源器件分光比的相關內容
分光比定義為光分路器各輸出端口的輸出功率比值，在系統應用中，分光比的確定是根據實際系統光節點所需的光功率的多少，確定合適的分光比（平均分配的除外），光分路器的分光比與傳輸光的波長有關，例如一個光分路在傳輸1.31 微米的光時兩個輸出端的分光比為50：50；在傳輸1.5μm的光時，則變為70：30
光無源器件波分復用器的相關介紹
在一根光纖內同時傳送幾個不同波長的光信號通信方式收做波分復用，采用波分復用技術，只要在發送端和接收端增加少量的合波、分波設備，就可以大幅度增加光纖的傳輸容量，提高經濟效益。對于已經鋪設的光纜，采用波分復用技術，也可實現多路傳輸，起到降低成本和擴充容量的作用。波分復用器在光路中起到合波和分波的作用
光無源器件偏振控制器相關介紹
對隨機掃描Poincare球偏振控制器(PC)而言，掃描周期、覆蓋Poincare球面積、偏振光經過PC情況以及由于PC導致的光功率波動值等都是一些關鍵參數。這些參數的意思很容易理解，這里只想著重論述由于PC導致的光功率波動對測試的影響。我們知道PDL的測試其實就是探測當傳輸光偏振態(SOP)發
射頻集成電路EDA關鍵技術與工具
射頻集成電路指工作在射頻頻段的集成電路，是無線通信、雷達探測、智能傳感等重要領域的基礎。但在其電子設計自動化（EDA）技術與工具方面的不足是制約我國射頻技術與產業自主發展的一個痛點。 上海交通大學毛軍發院士領導的聯合團隊針對射頻集成電路EDA關鍵科學技術問題和國家重大戰略需求，突破電磁和耦合多
學者研究突破硅基芯光互連I/O器件性能
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/518758.shtm
光無源器件隔離度的相關內容
隔離度是指光分路器的某一光路對其他光路中的光信號的隔離能力。在以上各指標中，隔離度對于光分路器的意義更為重大，在實際系統應用中往往需要隔離度達到40dB以上的器件，否則將影響整個系統的性能。 另外光分路器的穩定性也是一個重要的指標，所謂穩定性是指在外界溫度變化，其它器件的工作狀態變化時，光分路
中科院實現硅基異質集成的片上量子點發光
近日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所硅光課題組研究員武愛民團隊/龔謙團隊與浙江大學副教授金毅課題組合作，在硅基襯底上研制出超小尺寸的包含InAs量子點的納米共振結構，基于準BIC原理實現了O波段的片上發光。7月28日，相關研究成果以Heterogeneously integrated quan
「半導體展會」2024上海國際半導體技術設備展覽會官網
上海半導體展，半導體產業展，半導體設備展，上海半導體設備展，上海半導體產業展，上海集成電路展，集成電路展2024上海國際半導體產業展覽會時間：2024年11月18-20日??參展咨詢：021-5416 3212大會負責人：李經理 136 5198 3978地點：上海新國際博覽中心展會介紹：2024上
2024半導體展｜2024上海國際半導體封裝測試展覽會「半導體展會」
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2024中國上海國際集成電路與半導體產業展覽會_材料_制造_
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“神奇材料”石墨烯“聯姻”硅基技術
據物理學家組織網7月10日(北京時間)報道，奧地利、德國和俄羅斯的科學家們合作研發出一種新方法，可以很好地讓“神奇材料”石墨烯同現有占主流的硅基技術“聯姻”，制造出在半導體設備等領域廣泛運用的石墨烯-硅化物。相關研究發表在英國自然集團旗下的《科學報告》雜志上。 石墨烯是從石墨材料中剝離出來
簡介光無源器件光分路器的相關內容
與同軸電纜傳輸系統一樣，光網絡系統也需要將光信號進行耦合、分支、分配，這就需要光分路器來實現，光分路器是光纖鏈路中最重要的無源器件之一，是具有多個輸入端和多個輸出端的光纖匯接器件，常用M×N來表示一個分路器有M個輸入端和N個輸出端。在光纖CATV系統中使用的光分路器一般都是1×2、1×3以及由它
硅基磷化銦異質集成片上光源研究取得新進展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/518959.shtm近日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員游天桂、歐欣課題組，基于“離子刀”異質集成技術成功制備出高質量晶圓級硅基磷化銦（InP）單晶薄膜異質襯底（InPOS），并進一步制備了性
上海微系統所制備出晶圓級金剛石基氧化鎵陣列化單晶薄膜
中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員歐欣團隊，聯合南京電子器件研究所研究員李忠輝團隊，在金剛石基氧化鎵異質集成材料與器件領域取得突破性進展。12月9日，研究成果在第70屆國際電子器件大會（IEDM 2024）上以口頭報告的形式發表。在寬/超寬禁帶半導體材料中，氧化鎵的熱導率最低，不到硅材料的1
可控硅器件的概念
晶閘管又叫可控硅(Silicon Controlled?Rectifier, SCR)。自從20世紀50年代問世以來已經發展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管，等等。 可控硅器件是一種非常重要的功率器件，可用來做高電壓和高電
香山科學會議－專家稱“后摩爾時代”高端硅基材料是關鍵
近日，香山科學會議第626次學術討論會在上海舉行，會議聚焦了高端硅基材料及器件關鍵技術問題。與會專家認為，硅基材料及器件的創新將決定未來集成電路及相關信息技術的發展。 著名的“摩爾定律”提出，集成電路上可容納的元器件的數目，每隔約18至24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。當前，在摩爾定律引
微電子所硅光子平臺開發取得進展
近日，中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心研究員閆江團隊在硅光子平臺開發方面取得新進展，完成硅基波導集成的鍺探測器和硅基調制器的流片并取得優良結果。 硅光子技術是集成電路后摩爾時代的發展方向之一，旨在利用基于CMOS工藝的大規模集成電路技術在硅基襯底上進行光子器件和芯片的開發，最終實
光子集成芯片和微系統研究獲突破
5月18日，北京大學教授王興軍課題組和美國加州大學圣芭芭拉分校教授John E. Bowers課題組在《自然》雜志在線發表研究論文，在世界上首次報道了由集成微腔光梳驅動的新型硅基光電子片上集成系統，研究團隊歷時3年協同攻關，終于攻克了這一世界性難題。王興軍告訴《中國科學報》，這個工作是集成光梳和硅光
第三代半導體材料氮化鎵(GaN)技術與優勢詳解（一）
第三代 半導體材料——氮化鎵( GaN)，作為時下新興的半導體工藝技術，提供超越硅的多種優勢。與硅器件相比，GaN在 電源轉換效率和功率密度上實現了性能的飛躍，廣泛應用于 功率因數校正(PFC)、軟開關 DC-DC等電源系統設計，以及電源適配器、光伏 逆變器或 太陽能逆變器、服務
2024上海國際電子新材料及制品展「時間/地點/展覽館」
電子元器件展，電子儀器儀表展，電子儀器儀表展，電子元器件展，電子設備展，電子設備展，電子元器件展覽會，電子儀器展，電子儀器展，電儀器展覽會，繼電器展，電容器展，連接器展，集成電路展2024上海國際電子元器件材料設備展覽會地點：上海國際博覽中心2024年11月18-20日【指導單位】中國電子器材有限公
2024上海國際元器件制造設備展「時間/地點/展覽館」
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2024上海國際MLCC展「時間/地點/展覽館」
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2024中國(上海)國際超導材料及超導電子器件展覽會
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2024上海電子元器件展－2024第104屆中國上海電子展官網
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