第十六屆國際晶體生長會議在京舉行

　　“第十六屆國際晶體生長會議及第十四屆國際氣相生長與外延會議”（ICCG-16/ICVGE-14），于2010年8月9日至13日在北京國際會議中心舉行。本次會議是由國際晶體生長協會主辦、中國硅酸鹽學會晶體生長與材料分會承辦，中國科學院、國家自然科學基金委員會、中國硅酸鹽學會支持的專業性國際盛會。

　　被譽為國際晶體生長界“奧林匹克”盛會的國際晶體生長會議每三年舉行一次，自1966年在美國波士頓舉辦第一屆起，至今已經有44年的歷史。2004年國際晶體生長會議在法國的格勒諾布爾市舉辦，2007年在美國的鹽湖城舉行。這次是首次在發展中國家舉辦，也是第一次在中國召開。根據大會組委會的初步統計，參加大會的正式代表超過1100人。其中，注冊登記的國外代表600多人，國內代表500多人，人數超過了歷屆的會議。

　　在8月9日的大會開幕式上，中國硅酸鹽學會理事長張人為和國際晶體生長大會主席A. A. Chernov分別致歡迎詞，本屆大會主席陳創天院士、Weber教授、Kuech教授、Koukitu教授和祝世寧院士分別做了大會專題學術報告。從8月9日下午起，會議進行分會場討論，與會代表就晶體生長基礎理論，單晶硅生長和光伏材料，窄禁帶半導體和復合半導體材料，寬帶半導體材料，薄膜與外延層晶體生長，激光和非線性光學晶體生長，閃爍、鐵電、壓電晶體和多功能晶體生長，熱電及磁電相關系列晶體，新晶體材料和新生長技術，塊狀摻雜晶體生長材料，結晶化技術，有機和生物材料結晶化，光子、聲子晶體的基礎理論，納米晶材料，晶體生長中原位測試和表征，晶體特性和缺陷等領域的16個分會主題進行廣泛而深入的交流。據大會組委會統計，在本屆大會上，作大會報告、分會報告和一般口頭報告600多篇，作墻報展示800多篇。中國科學院上海硅酸鹽研究所負責的閃爍、鐵電、壓電晶體和多功能晶體生長分會場共收到110份摘要，會議代表的報告和提問交流都獲得非常好的效果。8月13日上午舉行的大會閉幕式上，獲得本次會議Frank獎、Laudise獎、Schieber獎的獲獎者分別作了獲獎學術報告，并宣布三年后的國際晶體生長會議ICCG-17將在波蘭的華沙大學舉行。

　　會議期間還舉辦了一場小型展覽會，由上海市硅酸鹽學會具體承辦。參加本屆大會展覽的單位共有46家。國外參展商有18家（占40%），分別來自8個國家。參展單位主要來自人工晶體材料研發和制作、超純原料、晶體材料的制造設備、加工設備和精密檢測設備，以及與晶體材料生長制作相關的各種數學模擬軟件。中國硅酸鹽學會張人為理事長、晉占平秘書長一行，以及本屆大會主席陳創天院士和大會秘書長王繼揚教授等參觀了展覽會，并同參展商們進行了充分的交流。參展單位都對這次大會舉辦的展覽表示滿意，認為通過展覽的形式能更直接地了解晶體材料及相關行業的發展信息，能增進產學研之間的交流互動，擴展晶體材料在相關領域的應用，推進技術創新，推進產品更新、推動市場發展。西卡思公司對上海硅酸鹽所的晶體產品進行了布展介紹，引起了國內外同行的廣泛興趣。