快掃描循環伏安法和常規循環伏安法相比有顯著不同之處, 二者對實驗條件的要求也不一樣。
1. 恒電位儀
由于快掃描循環伏安實驗時采用的掃描速度極高, 通常為幾萬伏/ 秒甚至更高, 現在商品化的恒電位儀很難達到這樣高的掃速, 如PAR M370電化學系統最高只能達到100V/S, 而PA RM270電化學系統最高掃速只有40 V/S。因此, 必須根據實際要求自行組裝恒電位儀。
2. 記錄儀
由于掃描速度極高, 通常的記錄儀已難以記錄掃描時的循環伏安圖。一般情況下用示波器觀察掃描時波形的變化, 最好用具有儲存功能的示波器記錄, 然后將數據送到微機進行處理。
3. 充電電流的消除
由于雙電層充電電流與掃描速度v 成正比, 而法拉弟電流在受擴散控制的情況下與掃描速度V 1/2成正比, 所以掃描速度極高時, 充電電流將很大, 信噪比下降, 這必將影響對法拉弟電流的測量。因此, 必須消除充電電流的影響。
4. 電極
快掃描循環伏安法中使用的電極必須是微電極或超微電極。主要有Pt 微電極, 碳纖維微電極和金微電極； 形狀主要以圓盤狀為主, 但也有柱狀和帶狀的。使用微電極的好處主要有：一是因為微電極產生的電流較小, 這樣可以消除iR 降的影響； 二是由于微電極的雙電層電容較小, 這樣可以降低電解池的時間常數, 以減小雙電層充電電流的干擾。對于圓盤電極, 電解池常數和iR 降隨電極半徑的減小而降低。
5. iR降的校正
在快掃描循環伏安法中, 雖然采用了具有較小iR 降的微電極, 但也只能在一定程度上降低iR 降的影響。當掃描速度達到數十K V/S 或M V/S 時, 流過體系的電流也會較大，這時必須校正iR 降的影響, 特別是在研究某些表面反應時,iR 降的校正就顯得尤為重要。